BJT vs. IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) und IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sind zwei Arten von Transistoren, die zur Steuerung von Strömen verwendet werden. Beide Geräte haben PN-Übergänge und unterscheiden sich in der Gerätestruktur. Obwohl es sich bei beiden um Transistoren handelt, weisen sie erhebliche Unterschiede in den Eigenschaften auf.
BJT (Bipolar Junction Transistor)
BJT ist ein Transistortyp, der aus zwei PN-Übergängen besteht (ein Übergang, der durch Verbinden eines Halbleiters vom p-Typ und eines Halbleiters vom n-Typ hergestellt wird). Diese beiden Übergänge werden durch Verbinden von drei Halbleiterstücken in der Reihenfolge P-N-P oder N-P-N gebildet. Daher sind zwei Typen von BJTs, bekannt als PNP und NPN, verfügbar.
Drei Elektroden sind mit diesen drei Halbleiterteilen verbunden und die mittlere Leitung wird als „Basis“bezeichnet. Die anderen beiden Verbindungen sind „Emitter“und „Kollektor“.
In BJT wird der Emitterstrom mit großem Kollektor (Ic) durch den kleinen Basisemitterstrom (IB) und diese Eigenschaft gesteuert wird ausgenutzt, um Verstärker oder Sch alter zu entwerfen. Daher kann es als strombetriebenes Gerät betrachtet werden. BJT wird hauptsächlich in Verstärkersch altungen verwendet.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
IGBT ist ein Halbleiterbauelement mit drei Anschlüssen, die als „Emitter“, „Kollektor“und „Gate“bekannt sind. Es ist ein Transistortyp, der eine höhere Leistung verarbeiten kann und eine höhere Sch altgeschwindigkeit hat, was ihn hocheffizient macht. IGBT wurde in den 1980er Jahren auf den Markt gebracht.
IGBT hat die kombinierten Eigenschaften von MOSFET und Bipolar Junction Transistor (BJT). Es ist wie ein MOSFET Gate-gesteuert und hat Strom-Spannungs-Eigenschaften wie BJTs. Daher hat es die Vorteile sowohl einer hohen Strombelastbarkeit als auch einer einfachen Steuerung. IGBT-Module (bestehend aus mehreren Geräten) verarbeiten Kilowatt Leistung.
Unterschied zwischen BJT und IGBT
1. BJT ist ein stromgetriebenes Gerät, während IGBT von der Gate-Spannung angesteuert wird
2. Die Anschlüsse von IGBT sind als Emitter, Kollektor und Gate bekannt, während BJT aus Emitter, Kollektor und Basis besteht.
3. IGBTs haben eine bessere Leistungshandhabung als BJT
4. IGBT kann als eine Kombination aus BJT und einem FET (Feldeffekttransistor) betrachtet werden
5. IGBT hat im Vergleich zu BJT eine komplexe Gerätestruktur
6. BJT hat eine lange Geschichte im Vergleich zu IGBT
