MOSFET gegen BJT
Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement, das ein sich stark änderndes elektrisches Ausgangssignal für kleine Änderungen in kleinen Eingangssignalen liefert. Aufgrund dieser Eigenschaft kann das Gerät sowohl als Verstärker als auch als Sch alter verwendet werden. Der Transistor wurde in den 1950er Jahren veröffentlicht und kann angesichts des Beitrags zur IT als eine der wichtigsten Erfindungen des 20. Jahrhunderts angesehen werden. Es ist ein sich schnell entwickelndes Gerät und viele Arten von Transistoren wurden eingeführt. Bipolar Junction Transistor (BJT) ist der erste Typ und Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) ist ein weiterer Transistortyp, der später eingeführt wird.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
BJT besteht aus zwei PN-Übergängen (ein Übergang, der durch Verbinden eines Halbleiters vom p-Typ und eines Halbleiters vom n-Typ hergestellt wird). Diese beiden Übergänge werden durch Verbinden von drei Halbleiterstücken in der Reihenfolge P-N-P oder N-P-N gebildet. Daher sind zwei Arten von BJTs, bekannt als PNP und NPN, verfügbar.
Drei Elektroden sind mit diesen drei Halbleiterteilen verbunden und die mittlere Leitung wird als „Basis“bezeichnet. Die anderen beiden Verbindungen sind „Emitter“und „Kollektor“.
In BJT wird der große Kollektor-Emitter-Strom (Ic) durch den kleinen Basis-Emitter-Strom (IB) gesteuert, und diese Eigenschaft wird zum Entwerfen von Verstärkern oder Sch altern ausgenutzt. Daher kann es als strombetriebenes Gerät betrachtet werden. BJT wird hauptsächlich in Verstärkersch altungen verwendet.
Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET)
MOSFET ist eine Art Feldeffekttransistor (FET), der aus drei Anschlüssen besteht, die als „Gate“, „Source“und „Drain“bekannt sind. Hier wird der Drain-Strom durch die Gate-Spannung gesteuert. Daher sind MOSFETs spannungsgesteuerte Geräte.
MOSFETs sind in vier verschiedenen Typen erhältlich, wie z. B. n-Kanal oder p-Kanal, entweder im Verarmungs- oder im Anreicherungsmodus. Drain und Source bestehen aus Halbleitern vom n-Typ für n-Kanal-MOSFETs und ähnlich für p-Kanal-Bauelemente. Das Gate besteht aus Metall und ist durch ein Metalloxid von Source und Drain getrennt. Diese Isolierung verursacht einen geringen Stromverbrauch und ist ein Vorteil bei MOSFETs. Daher wird MOSFET in der digitalen CMOS-Logik verwendet, wo p- und n-Kanal-MOSFETs als Bausteine verwendet werden, um den Stromverbrauch zu minimieren.
Obwohl das Konzept des MOSFET sehr früh (1925) vorgeschlagen wurde, wurde es 1959 in den Bell-Laboren praktisch umgesetzt.
BJT vs. MOSFET
1. BJT ist im Grunde ein stromgesteuertes Gerät, MOSFET wird jedoch als spannungsgesteuertes Gerät betrachtet.
2. Die Anschlüsse von BJT sind als Emitter, Kollektor und Basis bekannt, während MOSFET aus Gate, Source und Drain besteht.
3. In den meisten neuen Anwendungen werden MOSFETs anstelle von BJTs verwendet.
4. MOSFET hat eine komplexere Struktur im Vergleich zu BJT
5. MOSFET ist effizienter im Stromverbrauch als BJTs und wird daher in CMOS-Logik verwendet.
