BJT vs. SCR
Sowohl BJT (Bipolar Junction Transistor) als auch SCR (Silicon Controlled Rectifier) sind Halbleiterbauelemente mit abwechselnden P-Typ- und N-Typ-Halbleiterschichten. Sie werden aus vielen Gründen wie Effizienz, niedrige Kosten und geringe Größe in vielen Sch altanwendungen verwendet. Beide sind Geräte mit drei Anschlüssen und bieten einen guten Steuerbereich des Stroms mit einem kleinen Steuerstrom. Beide Geräte haben anwendungsabhängige Vorteile.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
BJT ist ein Transistortyp und besteht aus zwei PN-Übergängen (ein Übergang, der durch Verbinden eines Halbleiters vom p-Typ und eines Halbleiters vom n-Typ hergestellt wird). Diese beiden Übergänge werden durch Verbinden von drei Halbleiterstücken in der Reihenfolge P-N-P oder N-P-N gebildet. Es gibt zwei Arten von BJTs, bekannt als PNP und NPN.
Drei Elektroden sind mit diesen drei Halbleiterteilen verbunden, und die mittlere Leitung wird „Basis“genannt. Die anderen beiden Verbindungen sind „Emitter“und „Kollektor“.
In BJT wird der Emitterstrom mit großem Kollektor (Ic) durch den kleinen Basisemitterstrom (IB) gesteuert, und diese Eigenschaft ist ausgenutzt, um Verstärker oder Sch alter zu entwerfen. Daher kann es als strombetriebenes Gerät betrachtet werden. BJT wird hauptsächlich in Verstärkersch altungen verwendet.
Siliziumgesteuerter Gleichrichter (SCR)
SCR ist eine Art Thyristor und wird häufig in Stromgleichrichtungsanwendungen verwendet. SCR besteht aus vier abwechselnden Halbleiterschichten (in Form von P-N-P-N) und besteht daher aus drei PN-Übergängen. In der Analyse wird dies als ein fest gekoppeltes Paar von BJTs betrachtet (ein PNP- und ein anderer in NPN-Konfiguration). Die äußersten Halbleiterschichten vom P- und N-Typ werden als Anode bzw. Kathode bezeichnet. Die Elektrode, die mit der inneren Halbleiterschicht vom P-Typ verbunden ist, wird als „Gate“bezeichnet.
Im Betrieb verhält sich der SCR leitend, wenn dem Gate ein Impuls zugeführt wird. Es arbeitet entweder im „Ein“- oder im „Aus“-Zustand. Sobald das Gate mit einem Impuls ausgelöst wird, geht der SCR in den „Ein“-Zustand und leitet weiter, bis der Durchlassstrom kleiner als der als „H altestrom“bekannte Schwellenwert wird.
SCR ist ein Leistungsgerät und wird meistens in Anwendungen verwendet, in denen hohe Ströme und Spannungen im Spiel sind. Die am häufigsten verwendete SCR-Anwendung ist die Steuerung (Gleichrichtung) von Wechselströmen.
In Kürze:
Unterschied zwischen BJT und SCR
1. BJT hat nur drei Halbleiterschichten, während SCR vier Schichten davon hat.
2. Drei Anschlüsse von BJT sind als Emitter, Kollektor und Basis bekannt, während SCR Anschlüsse hat, die als Anode, Kathode und Gate bekannt sind
3. SCR wird in der Analyse als eng gekoppeltes Transistorpaar betrachtet.