IGBT gegen Thyristor
Thyristor und IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sind zwei Arten von Halbleiterbauelementen mit drei Anschlüssen und beide werden zur Steuerung von Strömen verwendet. Beide Geräte haben ein Steuerungsterminal namens „Gate“, haben aber unterschiedliche Funktionsprinzipien.
Thyristor
Thyristor besteht aus vier abwechselnden Halbleiterschichten (in Form von P-N-P-N), besteht also aus drei PN-Übergängen. In der Analyse wird dies als ein fest gekoppeltes Paar von Transistoren betrachtet (einer in PNP- und der andere in NPN-Konfiguration). Die äußersten Halbleiterschichten vom P- und N-Typ werden als Anode bzw. Kathode bezeichnet. Die Elektrode, die mit der inneren Halbleiterschicht vom P-Typ verbunden ist, wird als „Gate“bezeichnet.
Im Betrieb verhält sich der Thyristor leitend, wenn ein Impuls an das Gate angelegt wird. Es verfügt über drei Betriebsmodi, die als „Rückwärtssperrmodus“, „Vorwärtssperrmodus“und „Vorwärtsleitungsmodus“bekannt sind. Sobald das Gate mit dem Impuls getriggert wird, geht der Thyristor in den „Durchlassmodus“und leitet weiter, bis der Durchlassstrom kleiner als der Schwellenwert „H altestrom“wird.
Thyristoren sind Leistungsbauelemente und werden meistens in Anwendungen eingesetzt, bei denen hohe Ströme und Spannungen im Spiel sind. Die am häufigsten verwendete Thyristoranwendung ist die Steuerung von Wechselströmen.
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
IGBT ist ein Halbleiterbauelement mit drei Anschlüssen, die als „Emitter“, „Kollektor“und „Gate“bekannt sind. Es ist ein Transistortyp, der eine höhere Leistung verarbeiten kann und eine höhere Sch altgeschwindigkeit hat, was ihn hocheffizient macht. IGBT wurde in den 1980er Jahren auf den Markt gebracht.
IGBT hat die kombinierten Eigenschaften von MOSFET und Bipolar Junction Transistor (BJT). Es ist wie ein MOSFET Gate-gesteuert und hat Strom-Spannungs-Eigenschaften wie BJTs. Daher hat es die Vorteile sowohl einer hohen Strombelastbarkeit als auch einer einfachen Steuerung. IGBT-Module (bestehend aus mehreren Geräten) verarbeiten Kilowatt Leistung.
In Kürze:
Unterschied zwischen IGBT und Thyristor
1. Drei Anschlüsse von IGBT sind bekannt als Emitter, Kollektor und Gate, während Thyristor Anschlüsse hat, die als Anode, Kathode und Gate bekannt sind.
2. Das Gate des Thyristors benötigt nur einen Impuls, um in den leitenden Modus zu wechseln, während der IGBT eine kontinuierliche Versorgung mit Gate-Spannung benötigt.
3. IGBT ist eine Art Transistor, und Thyristor wird in der Analyse als eng gekoppeltes Paar von Transistoren betrachtet.
4. IGBT hat nur einen PN-Übergang und Thyristor hat drei davon.
5. Beide Geräte werden in Hochleistungsanwendungen eingesetzt.
