IGBT vs. MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) und IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sind zwei Arten von Transistoren, und beide gehören zur Gate-gesteuerten Kategorie. Beide Geräte haben ähnlich aussehende Strukturen mit unterschiedlichen Halbleiterschichten.
Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET)
MOSFET ist eine Art Feldeffekttransistor (FET), der aus drei Anschlüssen besteht, die als „Gate“, „Source“und „Drain“bekannt sind. Hier wird der Drain-Strom durch die Gate-Spannung gesteuert. Daher sind MOSFETs spannungsgesteuerte Geräte.
MOSFETs sind in vier verschiedenen Typen erhältlich, z. B. n-Kanal oder p-Kanal, entweder im Verarmungs- oder im Anreicherungsmodus. Drain und Source bestehen aus Halbleitern vom n-Typ für n-Kanal-MOSFETs und ähnlich für p-Kanal-Bauelemente. Das Gate besteht aus Metall und ist durch ein Metalloxid von Source und Drain getrennt. Diese Isolierung verursacht einen geringen Stromverbrauch und ist ein Vorteil bei MOSFETs. Daher wird MOSFET in der digitalen CMOS-Logik verwendet, wo p- und n-Kanal-MOSFETs als Bausteine verwendet werden, um den Stromverbrauch zu minimieren.
Obwohl das Konzept des MOSFET sehr früh (1925) vorgeschlagen wurde, wurde es 1959 in den Bell-Laboren praktisch umgesetzt.
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
IGBT ist ein Halbleiterbauelement mit drei Anschlüssen, die als „Emitter“, „Kollektor“und „Gate“bekannt sind. Es ist ein Transistortyp, der eine höhere Leistung verarbeiten kann und eine höhere Sch altgeschwindigkeit hat, was ihn hocheffizient macht. IGBT wurde in den 1980er Jahren auf den Markt gebracht.
IGBT hat die kombinierten Eigenschaften von MOSFET und Bipolar Junction Transistor (BJT). Es ist wie ein MOSFET Gate-gesteuert und hat Strom-Spannungs-Eigenschaften wie BJTs. Daher hat es die Vorteile sowohl einer hohen Strombelastbarkeit als auch einer einfachen Steuerung. IGBT-Module (bestehend aus mehreren Geräten) können Kilowatt Leistung verarbeiten.
Unterschied zwischen IGBT und MOSFET
1. Obwohl sowohl IGBT als auch MOSFET spannungsgesteuerte Geräte sind, hat IGBT eine BJT-ähnliche Leitungscharakteristik.
2. Die Anschlüsse von IGBT sind als Emitter, Kollektor und Gate bekannt, während MOSFET aus Gate, Source und Drain besteht.
3. IGBTs haben eine bessere Leistungshandhabung als MOSFETs
4. IGBT hat PN-Übergänge und MOSFETs haben sie nicht.
5. IGBT hat einen geringeren Durchlassspannungsabfall im Vergleich zu MOSFET
6. MOSFET hat eine lange Geschichte im Vergleich zu IGBT
