IGBT vs. GTO
GTO (Gate Turn-off Thyristor) und IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sind zwei Arten von Halbleiterbauelementen mit drei Anschlüssen. Beide werden zur Steuerung von Strömen und zu Sch altzwecken verwendet. Beide Geräte haben ein Steuerungsterminal namens „Gate“, haben aber unterschiedliche Funktionsprinzipien.
GTO (Gate Turn-off Thyristor)
GTO besteht aus vier P-Typ- und N-Typ-Halbleiterschichten, und die Gerätestruktur unterscheidet sich kaum von einem normalen Thyristor. In der Analyse wird GTO auch als gekoppeltes Transistorpaar betrachtet (ein PNP- und ein anderer in NPN-Konfiguration), genau wie bei normalen Thyristoren. Die drei Anschlüsse von GTO heißen „Anode“, „Kathode“und „Gate“.
Im Betrieb verhält sich der Thyristor leitend, wenn ein Impuls an das Gate angelegt wird. Es verfügt über drei Betriebsmodi, die als „Rückwärtssperrmodus“, „Vorwärtssperrmodus“und „Vorwärtsleitungsmodus“bekannt sind. Sobald das Gate mit dem Impuls getriggert wird, geht der Thyristor in den „Durchlassmodus“und leitet weiter, bis der Durchlassstrom kleiner als der Schwellenwert „H altestrom“wird.
Zusätzlich zu den Eigenschaften normaler Thyristoren ist der „Aus“-Zustand des GTO auch durch negative Impulse steuerbar. Bei normalen Thyristoren erfolgt die „Aus“-Funktion automatisch.
GTOs sind Leistungsgeräte und werden hauptsächlich in Wechselstromanwendungen verwendet.
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
IGBT ist ein Halbleiterbauelement mit drei Anschlüssen, die als „Emitter“, „Kollektor“und „Gate“bekannt sind. Es ist ein Transistortyp, der eine höhere Leistung verarbeiten kann und eine höhere Sch altgeschwindigkeit hat, was ihn hocheffizient macht. IGBT wurde in den 1980er Jahren auf den Markt gebracht.
IGBT hat die kombinierten Eigenschaften von MOSFET und Bipolar Junction Transistor (BJT). Es ist wie ein MOSFET Gate-gesteuert und hat Strom-Spannungs-Eigenschaften wie BJTs. Daher hat es die Vorteile sowohl einer hohen Strombelastbarkeit als auch einer einfachen Steuerung. IGBT-Module (bestehend aus mehreren Geräten) verarbeiten Kilowatt Leistung.
Was ist der Unterschied zwischen IGBT und GTO?
1. Drei Anschlüsse von IGBT sind als Emitter, Kollektor und Gate bekannt, während GTO Anschlüsse hat, die als Anode, Kathode und Gate bekannt sind.
2. Das Gate des GTO benötigt nur einen Impuls zum Sch alten, während IGBT eine kontinuierliche Versorgung mit Gate-Spannung benötigt.
3. IGBT ist ein Transistortyp und GTO ist ein Thyristortyp, der in der Analyse als eng gekoppeltes Transistorpaar betrachtet werden kann.
4. IGBT hat nur einen PN-Übergang und GTO hat drei davon
5. Beide Geräte werden in Hochleistungsanwendungen eingesetzt.
6. GTO benötigt externe Geräte, um Aus- und Einsch altimpulse zu steuern, während IGBT dies nicht benötigt.
