BJT gegen FET
Sowohl BJT (Bipolar Junction Transistor) als auch FET (Feldeffekttransistor) sind zwei Arten von Transistoren. Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement, das ein sich stark änderndes elektrisches Ausgangssignal für kleine Änderungen in kleinen Eingangssignalen liefert. Aufgrund dieser Eigenschaft kann das Gerät sowohl als Verstärker als auch als Sch alter verwendet werden. Der Transistor wurde in den 1950er Jahren veröffentlicht und kann angesichts seines Beitrags zur Entwicklung der IT als eine der wichtigsten Erfindungen des 20. Jahrhunderts angesehen werden. Es wurden verschiedene Arten von Architekturen für Transistoren getestet.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
BJT besteht aus zwei PN-Übergängen (ein Übergang, der durch Verbinden eines Halbleiters vom p-Typ und eines Halbleiters vom n-Typ hergestellt wird). Diese beiden Übergänge werden durch Verbinden von drei Halbleiterstücken in der Reihenfolge P-N-P oder N-P-N gebildet. Dort sind zwei Arten von BJTs, bekannt als PNP und NPN, verfügbar.
Drei Elektroden sind mit diesen drei Halbleiterteilen verbunden und die mittlere Leitung wird als „Basis“bezeichnet. Die anderen beiden Verbindungen sind „Emitter“und „Kollektor“.
In BJT wird der große Kollektor-Emitter-Strom (Ic) durch den kleinen Basis-Emitter-Strom (IB) gesteuert, und diese Eigenschaft wird zum Entwerfen von Verstärkern oder Sch altern ausgenutzt. Daher kann es als strombetriebenes Gerät betrachtet werden. BJT wird hauptsächlich in Verstärkersch altungen verwendet.
Feldeffekttransistor (FET)
FET besteht aus drei Anschlüssen, die als „Gate“, „Source“und „Drain“bekannt sind. Hier wird der Drain-Strom durch die Gate-Spannung gesteuert. Daher sind FETs spannungsgesteuerte Geräte.
Abhängig von der Art des Halbleiters, der für Source und Drain verwendet wird (in FET bestehen beide aus dem gleichen Halbleitertyp), kann ein FET ein N-Kanal- oder P-Kanal-Gerät sein. Der Source-Drain-Stromfluss wird durch Einstellen der Kanalbreite durch Anlegen einer geeigneten Spannung an das Gate gesteuert. Es gibt auch zwei Möglichkeiten, die Kanalbreite zu steuern, die als Verarmung und Anreicherung bekannt sind. Daher sind FETs in vier verschiedenen Typen erhältlich, z. B. N-Kanal oder P-Kanal, entweder im Verarmungs- oder im Anreicherungsmodus.
Es gibt viele Arten von FETs wie MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (High Electron Mobility Transistor) und IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). CNTFET (Carbon Nanotube FET), das aus der Entwicklung der Nanotechnologie hervorgegangen ist, ist das neueste Mitglied der FET-Familie.
Unterschied zwischen BJT und FET
1. BJT ist im Grunde ein stromgesteuertes Gerät, obwohl FET als spannungsgesteuertes Gerät betrachtet wird.
2. Die Anschlüsse von BJT sind als Emitter, Kollektor und Basis bekannt, während FET aus Gate, Source und Drain besteht.
3. In den meisten neuen Anwendungen werden FETs anstelle von BJTs verwendet.
4. BJT verwendet sowohl Elektronen als auch Löcher für die Leitung, während FET nur eines davon verwendet und daher als unipolare Transistoren bezeichnet wird.
5. FETs sind energieeffizienter als BJTs.
