NMOS vs. PMOS
Ein FET (Feldeffekttransistor) ist ein spannungsgesteuertes Gerät, bei dem seine Strombelastbarkeit durch Anlegen eines elektronischen Feldes geändert wird. Ein häufig verwendeter FET-Typ ist der Metalloxid-Halbleiter-FET (MOSFET). MOSFETs werden häufig in integrierten Sch altungen und Hochgeschwindigkeitssch altanwendungen verwendet. MOSFETs arbeiten, indem sie einen leitenden Kanal zwischen zwei Kontakten namens Source und Drain induzieren, indem sie eine Spannung an die oxidisolierte Gate-Elektrode anlegen. Es gibt zwei Haupttypen von MOSFETs, genannt nMOSFET (allgemein bekannt als NMOS) und pMOSFET (allgemein bekannt als PMOS), abhängig von der Art der Träger, die durch den Kanal fließen.
Was ist NMOS?
Wie bereits erwähnt, ist NMOS (nMOSFET) eine Art MOSFET. Ein NMOS-Transistor besteht aus Source und Drain vom n-Typ und einem Substrat vom p-Typ. Wenn eine Spannung an das Gate angelegt wird, werden Löcher im Körper (Substrat vom p-Typ) vom Gate weggetrieben. Dies ermöglicht die Bildung eines Kanals vom n-Typ zwischen der Source und dem Drain, und ein Strom wird durch Elektronen von der Source zum Drain durch einen induzierten Kanal vom n-Typ transportiert. Logikgatter und andere digitale Geräte, die unter Verwendung von NMOSs implementiert sind, sollen NMOS-Logik haben. Es gibt drei Betriebsmodi in einem NMOS, die Cut-off, Triode und Sättigung genannt werden. NMOS-Logik ist einfach zu entwerfen und herzustellen. Sch altungen mit NMOS-Logikgattern leiten jedoch statische Energie ab, wenn sich die Sch altung im Leerlauf befindet, da Gleichstrom durch das Logikgatter fließt, wenn der Ausgang niedrig ist.
Was ist PMOS?
Wie bereits erwähnt, ist PMOS (pMOSFET) eine Art MOSFET. Ein PMOS-Transistor besteht aus Source und Drain vom p-Typ und einem Substrat vom n-Typ. Wenn zwischen Source und Gate eine positive Spannung angelegt wird (negative Spannung zwischen Gate und Source), wird zwischen Source und Drain ein p-leitender Kanal mit entgegengesetzten Polaritäten gebildet. Ein Strom wird durch Löcher von der Source zum Drain durch einen induzierten Kanal vom p-Typ transportiert. Eine hohe Spannung am Gate führt dazu, dass ein PMOS nicht leitet, während eine niedrige Spannung am Gate dazu führt, dass es leitet. Logikgatter und andere digitale Geräte, die unter Verwendung von PMOS implementiert sind, haben PMOS-Logik. Die PMOS-Technologie ist kostengünstig und hat eine gute Störfestigkeit.
Was ist der Unterschied zwischen NMOS und PMOS?
NMOS ist mit Source und Drain vom n-Typ und einem Substrat vom p-Typ aufgebaut, während PMOS mit Source und Drain vom p-Typ und einem Substrat vom n-Typ aufgebaut ist. In einem NMOS sind Ladungsträger Elektronen, während in einem PMOS Ladungsträger Löcher sind. Wenn eine hohe Spannung an das Gate angelegt wird, leitet NMOS, während PMOS dies nicht tut. Darüber hinaus leitet NMOS nicht und PMOS leitet, wenn eine niedrige Spannung an das Gate angelegt wird. NMOS gelten als schneller als PMOS, da sich die Träger in NMOS, die Elektronen sind, doppelt so schnell fortbewegen wie Löcher, die die Träger in PMOS sind. Aber PMOS-Geräte sind immun gegen Rauschen als NMOS-Geräte. Darüber hinaus wären NMOS-ICs kleiner als PMOS-ICs (die die gleiche Funktionalität bieten), da der NMOS die Hälfte der Impedanz liefern kann, die von einem PMOS (der die gleiche Geometrie und Betriebsbedingungen hat) bereitgestellt wird.
